ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 25

MBRTA50020R

આંશિક માલ: 4212

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTRL

આંશિક માલ: 4170

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF50020

આંશિક માલ: 4261

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF60045R

આંશિક માલ: 4274

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF50060R

આંશિક માલ: 4248

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 780mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF30035R

આંશિક માલ: 4209

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50035R

આંશિક માલ: 4259

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF30030R

આંશિક માલ: 4272

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80080R

આંશિક માલ: 4300

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 400A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF50080

આંશિક માલ: 4234

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

FST16045L

આંશિક માલ: 4169

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 80A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF300100

આંશિક માલ: 4200

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT30020L

આંશિક માલ: 4441

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF200100R

આંશિક માલ: 4220

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 60A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 60A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF500200R

આંશિક માલ: 4298

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

UFT7340M

આંશિક માલ: 4323

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 35A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

UFT10020

આંશિક માલ: 4255

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 50A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 50A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF500200

આંશિક માલ: 4298

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 250A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURF40005R

આંશિક માલ: 4236

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT60045L

આંશિક માલ: 4241

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF40040

આંશિક માલ: 4239

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

UFT14005

આંશિક માલ: 4268

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 70A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MURF30010R

આંશિક માલ: 4231

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 150A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040L

આંશિક માલ: 4243

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 400A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020L

આંશિક માલ: 4231

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTL

આંશિક માલ: 4241

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035R

આંશિક માલ: 4249

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045

આંશિક માલ: 4302

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 700mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTRL

આંશિક માલ: 4163

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 200A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 200A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTRL

આંશિક માલ: 4164

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045R

આંશિક માલ: 4480

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 720mV @ 400A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF60040

આંશિક માલ: 4285

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 300A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRF60060

આંશિક માલ: 4279

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 250A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80035RL

આંશિક માલ: 4234

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 400A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBR30020CTRL

આંશિક માલ: 4170

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

GeneSiC Semiconductor

MBRT30040L

આંશિક માલ: 4187

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 150A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ