ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ

ઘર
ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ

EPC2001

આંશિક માલ: 18487

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 25A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 25A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2049ENGRT

આંશિક માલ: 4397

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5 mOhm @ 15A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2021

આંશિક માલ: 14286

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2025

આંશિક માલ: 1945

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 300V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 3A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2031

આંશિક માલ: 8638

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 31A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2018

આંશિક માલ: 8926

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 6A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2016

આંશિક માલ: 50068

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 11A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2051ENGRT

આંશિક માલ: 10801

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.7A, ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 3A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC8004

આંશિક માલ: 28614

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

વિશસૂચિ

EPC8009

આંશિક માલ: 27880

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 65V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2030ENGRT

આંશિક માલ: 16295

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 31A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2007

આંશિક માલ: 69589

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 6A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2015

આંશિક માલ: 18703

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 33A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 mOhm @ 33A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2031ENGRT

આંશિક માલ: 17048

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 31A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2012

આંશિક માલ: 54098

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 3A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2010

આંશિક માલ: 9929

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 6A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2022

આંશિક માલ: 14027

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2024

આંશિક માલ: 14687

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2033

આંશિક માલ: 13722

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 31A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 25A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2032

આંશિક માલ: 16483

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 48A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 mOhm @ 30A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2020

આંશિક માલ: 14515

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2029

આંશિક માલ: 16856

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 48A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2034

આંશિક માલ: 7981

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 48A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 20A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2035

આંશિક માલ: 195456

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 1A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2023

આંશિક માલ: 18953

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2015C

આંશિક માલ: 30169

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 53A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 mOhm @ 33A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2014

આંશિક માલ: 74091

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 5A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2030

આંશિક માલ: 22960

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 31A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC8010

આંશિક માલ: 46864

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2045ENGRT

આંશિક માલ: 26260

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 16A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2010C

આંશિક માલ: 17919

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 12A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2012C

આંશિક માલ: 54040

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 3A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2001C

આંશિક માલ: 31126

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 36A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 25A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2202

આંશિક માલ: 48425

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 18A, ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 11A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2019

આંશિક માલ: 37744

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 7A, 5V,

વિશસૂચિ

EPC2007C

આંશિક માલ: 74756

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 6A, 5V,

વિશસૂચિ

45

«
1
2
»