મેમરી

S34ML01G200TFV000

S34ML01G200TFV000

આંશિક માલ: 17835

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 25ns,

વિશસૂચિ
S25FL164K0XMFIS11

S25FL164K0XMFIS11

આંશિક માલ: 5632

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 64Mb (8M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S25FL132K0XBHV030

S25FL132K0XBHV030

આંશિક માલ: 4557

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 32Mb (4M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S29GL064N11FFIV22

S29GL064N11FFIV22

આંશિક માલ: 3802

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 110ns,

વિશસૂચિ
S34MS02G104BHV010

S34MS02G104BHV010

આંશિક માલ: 5289

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 2Gb (128M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 45ns,

વિશસૂચિ
S25FL129P0XNFV010

S25FL129P0XNFV010

આંશિક માલ: 4468

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 128Mb (16M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 104MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5µs, 3ms,

વિશસૂચિ
S34MS01G200BHA003

S34MS01G200BHA003

આંશિક માલ: 6765

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 45ns,

વિશસૂચિ
S34ML02G100TFI900

S34ML02G100TFI900

આંશિક માલ: 5056

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 2Gb (256M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 25ns,

વિશસૂચિ
S34MS02G200TFI000

S34MS02G200TFI000

આંશિક માલ: 10256

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 2Gb (256M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 45ns,

વિશસૂચિ
S34MS04G200BHI003

S34MS04G200BHI003

આંશિક માલ: 4180

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 4Gb (512M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 45ns,

વિશસૂચિ
S25FL129P0XBHIY03

S25FL129P0XBHIY03

આંશિક માલ: 3443

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 128Mb (16M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 104MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5µs, 3ms,

વિશસૂચિ
S25FL164K0XMFV011

S25FL164K0XMFV011

આંશિક માલ: 5595

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 64Mb (8M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S25FL116K0XMFIS10

S25FL116K0XMFIS10

આંશિક માલ: 4328

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S34ML02G200BHI500

S34ML02G200BHI500

આંશિક માલ: 2956

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 2Gb (256M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 25ns,

વિશસૂચિ
CY7C185-15VIT

CY7C185-15VIT

આંશિક માલ: 7726

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 64Kb (8K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 15ns,

વિશસૂચિ
S34ML01G200GHI000

S34ML01G200GHI000

આંશિક માલ: 20343

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 25ns,

વિશસૂચિ
CY7C1041DV33-10ZSXIT

CY7C1041DV33-10ZSXIT

આંશિક માલ: 6562

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 4Mb (256K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 10ns,

વિશસૂચિ
S25FL129P0XBHV310

S25FL129P0XBHV310

આંશિક માલ: 4413

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 128Mb (16M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 104MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5µs, 3ms,

વિશસૂચિ
S29PL127J70BFI000

S29PL127J70BFI000

આંશિક માલ: 5819

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 128Mb (8M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
S34MS04G100BHB003

S34MS04G100BHB003

આંશિક માલ: 6809

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 4Gb (512M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 45ns,

વિશસૂચિ
CY14V101QS-SF108XI

CY14V101QS-SF108XI

આંશિક માલ: 5126

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: NVSRAM, ટેકનોલોજી: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), મેમરી કદ: 1Mb (128K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz,

વિશસૂચિ
S29GL01GS11TFB020

S29GL01GS11TFB020

આંશિક માલ: 131

વિશસૂચિ
S34ML04G100TFI900

S34ML04G100TFI900

આંશિક માલ: 5147

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 4Gb (512M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 25ns,

વિશસૂચિ
S25FL132K0XBHIS20

S25FL132K0XBHIS20

આંશિક માલ: 4452

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 32Mb (4M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S25FL116K0XBHI020

S25FL116K0XBHI020

આંશિક માલ: 104657

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S29GL01GT10TFA010

S29GL01GT10TFA010

આંશિક માલ: 6122

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 1Gb (128M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 60ns,

વિશસૂચિ
S25FL116K0XBHI030

S25FL116K0XBHI030

આંશિક માલ: 4907

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S34ML04G100BHV000

S34ML04G100BHV000

આંશિક માલ: 5967

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 4Gb (512M x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 25ns,

વિશસૂચિ
S25FL116K0XNFIQ10

S25FL116K0XNFIQ10

આંશિક માલ: 4332

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ
S25FL129P0XBHV203

S25FL129P0XBHV203

આંશિક માલ: 3539

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 128Mb (16M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 104MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5µs, 3ms,

વિશસૂચિ
S29AS008J70BFI032

S29AS008J70BFI032

આંશિક માલ: 3754

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
S71GL064NB0BHW0P0

S71GL064NB0BHW0P0

આંશિક માલ: 7406

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, RAM, ટેકનોલોજી: FLASH, PSRAM, મેમરી કદ: 64Mb (4M x 16), 32Mb (2M x 16),

વિશસૂચિ
S29AL008J70YEI029

S29AL008J70YEI029

આંશિક માલ: 3158

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 70ns,

વિશસૂચિ
S34MS01G104BHB080

S34MS01G104BHB080

આંશિક માલ: 5325

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NAND, મેમરી કદ: 1Gb (64M x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 45ns,

વિશસૂચિ
CY7C1364CV33-166AXC

CY7C1364CV33-166AXC

આંશિક માલ: 5868

મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Synchronous, મેમરી કદ: 8Mb (256K x 32), ઘડિયાળની આવર્તન: 166MHz,

વિશસૂચિ
S25FL116K0XMFIS11

S25FL116K0XMFIS11

આંશિક માલ: 5472

મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH - NOR, મેમરી કદ: 16Mb (2M x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 108MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 3ms,

વિશસૂચિ