થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 94

VS-ST230C12C1L

આંશિક માલ: 1173

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

આંશિક માલ: 595

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.8kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

આંશિક માલ: 27457

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 35mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C0

આંશિક માલ: 711

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.8kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 350A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 660A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL0

આંશિક માલ: 847

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1435A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60

આંશિક માલ: 5109

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120M

આંશિક માલ: 2667

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 50A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 80A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0L

આંશિક માલ: 804

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08-M3

આંશિક માલ: 42474

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 12.5A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM0P

આંશિક માલ: 929

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1L

આંશિક માલ: 432

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 520A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRL-M3

આંશિક માલ: 58873

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K0

આંશિક માલ: 407

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.44V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2310A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4150A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C0L

આંશિક માલ: 1219

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0

આંશિક માલ: 336

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 300A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 471A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L0

આંશિક માલ: 642

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 560A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1115A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1

આંશિક માલ: 926

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P1V

આંશિક માલ: 829

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.75V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 200A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 314A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK1

આંશિક માલ: 329

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 300A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 471A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0

આંશિક માલ: 318

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0L

આંશિક માલ: 233

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1745A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3200A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80PBF

આંશિક માલ: 2343

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 80A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 125A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C1

આંશિક માલ: 1403

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CS20-25MOT1

આંશિક માલ: 4116

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.5kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 250mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 3V,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CS30-14IO1

આંશિક માલ: 13079

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 55mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.63V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 30A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 49A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S4X8ES1AP

આંશિક માલ: 117932

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 5µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 510mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S4006DRP

આંશિક માલ: 161532

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 3.8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 6A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

MCR106-8G

આંશિક માલ: 114442

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2.55A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S4X8ES2RP

આંશિક માલ: 146951

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 510mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S601E

આંશિક માલ: 77906

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 10mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 640mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

MCR706AT4G

આંશિક માલ: 195203

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 75µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1.6A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S8055WTP

આંશિક માલ: 18874

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 40mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S6065JTP

આંશિક માલ: 10002

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 41A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 65A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

C702CP

આંશિક માલ: 341

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 3kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 4.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1000A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1571A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

TN1215-600H

આંશિક માલ: 49211

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 12A,

વિશસૂચિ માટે

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

આંશિક માલ: 255

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 300V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે