Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

T607041864BT
Powerex Inc.

T607041864BT

આંશિક માલ: 935

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 175A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 275A,

વિશસૂચિ માટે
T607041854BT
Powerex Inc.

T607041854BT

આંશિક માલ: 965

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 175A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 275A,

વિશસૂચિ માટે
T607081544BT
Powerex Inc.

T607081544BT

આંશિક માલ: 796

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 150A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 235A,

વિશસૂચિ માટે
T600101804BT
Powerex Inc.

T600101804BT

આંશિક માલ: 773

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 175A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 275A,

વિશસૂચિ માટે
T607021554BT
Powerex Inc.

T607021554BT

આંશિક માલ: 1039

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 200V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 150A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 235A,

વિશસૂચિ માટે
S8008DTP
Littelfuse Inc.

S8008DTP

આંશિક માલ: 100117

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 5.1A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 8A,

વિશસૂચિ માટે
S6X8ES1AP
Littelfuse Inc.

S6X8ES1AP

આંશિક માલ: 187831

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 5µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 510mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 800mA,

વિશસૂચિ માટે
MCR25DG
Littelfuse Inc.

MCR25DG

આંશિક માલ: 47921

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ માટે
S6006VS3TP
Littelfuse Inc.

S6006VS3TP

આંશિક માલ: 124354

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 500µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 3.8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 6A,

વિશસૂચિ માટે
S6010DS3TP
Littelfuse Inc.

S6010DS3TP

આંશિક માલ: 102394

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 500µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.4A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ માટે
SJ6016N2RP
Littelfuse Inc.

SJ6016N2RP

આંશિક માલ: 2719

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 10mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ માટે
NYC222STT1G
Littelfuse Inc.

NYC222STT1G

આંશિક માલ: 128216

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 50V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.5A,

વિશસૂચિ માટે
S6008DS3TP
Littelfuse Inc.

S6008DS3TP

આંશિક માલ: 107624

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 500µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 5.1A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 8A,

વિશસૂચિ માટે
S6010DRP
Littelfuse Inc.

S6010DRP

આંશિક માલ: 121385

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.4A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ માટે
VS-30TPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16LHM3

આંશિક માલ: 2702

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 20A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 30A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L1L

આંશિક માલ: 586

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST180C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C12C0L

આંશિક માલ: 1205

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 350A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 660A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST300C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18L1

આંશિક માલ: 560

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.8kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ માટે
VS-25RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100M

આંશિક માલ: 4609

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ માટે
VS-25TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16S-M3

આંશિક માલ: 63639

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST330S16M1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1PBF

આંશિક માલ: 419

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 520A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST330C08C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C0

આંશિક માલ: 927

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST083S08PFN2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN2P

આંશિક માલ: 948

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST650C22L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L1

આંશિક માલ: 523

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.07V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 790A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1557A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST303C08CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFK1

આંશિક માલ: 829

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST650C24L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L0

આંશિક માલ: 500

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.07V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 790A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1557A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

આંશિક માલ: 239

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST110S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

આંશિક માલ: 1122

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ માટે
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

આંશિક માલ: 2105

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

આંશિક માલ: 301

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST230S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

આંશિક માલ: 1121

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST223C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

આંશિક માલ: 1134

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.58V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 390A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 745A,

વિશસૂચિ માટે
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

આંશિક માલ: 2128

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 80A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 125A,

વિશસૂચિ માટે
VS-ST300C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

આંશિક માલ: 671

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 560A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1115A,

વિશસૂચિ માટે
CS20-14IO1
IXYS

CS20-14IO1

આંશિક માલ: 16980

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 65mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 19A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 30A,

વિશસૂચિ માટે
CS45-12IO1
IXYS

CS45-12IO1

આંશિક માલ: 15526

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.64V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 48A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 75A,

વિશસૂચિ માટે