થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 94

VS-ST330S16P1PBF

આંશિક માલ: 483

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 520A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0V

આંશિક માલ: 705

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.75V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 200A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 314A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0

આંશિક માલ: 627

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0L

આંશિક માલ: 394

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.44V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2310A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4150A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1

આંશિક માલ: 416

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 520A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1VPBF

આંશિક માલ: 1228

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100PBF

આંશિક માલ: 1106

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 180A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 285A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K0

આંશિક માલ: 380

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L1

આંશિક માલ: 621

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1

આંશિક માલ: 843

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1

આંશિક માલ: 637

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN0

આંશિક માલ: 1083

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 370A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 690A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L1

આંશિક માલ: 587

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120

આંશિક માલ: 3842

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0LP

આંશિક માલ: 398

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFK0

આંશિક માલ: 491

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0

આંશિક માલ: 674

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L0

આંશિક માલ: 480

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.07V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 790A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1557A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1L

આંશિક માલ: 562

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0

આંશિક માલ: 556

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0V

આંશિક માલ: 874

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

SRR6016D1TP

આંશિક માલ: 144

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 6mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10.24A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

SJ4012VTP

આંશિક માલ: 160

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 7.6A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 12A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

SJ6040RTP

આંશિક માલ: 3095

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 40mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S6035KTP

આંશિક માલ: 14691

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 40mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 22A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 35A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

SJ6008VS2TP

આંશિક માલ: 210

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 5.1A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 8A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S8070WTP

આંશિક માલ: 14964

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 45A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 70A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

S6006DS3RP

આંશિક માલ: 147391

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 500µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 3.8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 6A,

વિશસૂચિ માટે

Littelfuse Inc.

SK012VTP

આંશિક માલ: 91200

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 7.6A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 12A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

TN5050H-12WY

આંશિક માલ: 8273

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 51A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 80A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

X0202NUF

આંશિક માલ: 145763

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 800mV, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200µA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.45V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 800mA, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1.25A,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

TYN612TRG

આંશિક માલ: 59634

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 5mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 8A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 12A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

TDK4403002DH

આંશિક માલ: 171

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 4V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 300mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.77V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 3430A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 5388A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

T6071015B4BT

આંશિક માલ: 701

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 150A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 235A,

વિશસૂચિ માટે

Powerex Inc.

T607061564BT

આંશિક માલ: 751

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.1V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 150A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 235A,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

CS60-14IO1

આંશિક માલ: 7538

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 48A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 75A,

વિશસૂચિ માટે