Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
0RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ

2SB0709A0L
Panasonic Electronic Components

2SB0709A0L

આંશિક માલ: 5437

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 2mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2SB143400A
Panasonic Electronic Components

2SB143400A

આંશિક માલ: 5433

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 50mA, 1A, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 200mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SB1321A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1321A0A

આંશિક માલ: 5460

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 30mA, 300mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 85 @ 10mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2SB1322A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1322A0A

આંશિક માલ: 5467

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 85 @ 500mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2SB1219ASL
Panasonic Electronic Components

2SB1219ASL

આંશિક માલ: 5490

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 30mA, 300mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 170 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

આંશિક માલ: 5450

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 2mA, 1A, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 4000 @ 1A, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

આંશિક માલ: 5395

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

આંશિક માલ: 6579

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

આંશિક માલ: 5441

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 300nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 30mA, 400mV,

વિશસૂચિ માટે
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

આંશિક માલ: 5384

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA,1V,

વિશસૂચિ માટે
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

આંશિક માલ: 71797

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

આંશિક માલ: 5393

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 1mA, 10mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

આંશિક માલ: 71785

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

આંશિક માલ: 5420

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 500µA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 2nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

આંશિક માલ: 5439

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

આંશિક માલ: 5732

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 300mV,

વિશસૂચિ માટે
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

આંશિક માલ: 5387

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 300mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 3mA, 300mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 30mA, 400mV,

વિશસૂચિ માટે
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

આંશિક માલ: 5471

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 250mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

આંશિક માલ: 6606

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 140V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

આંશિક માલ: 5419

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

આંશિક માલ: 5454

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 50mA, 500mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 500mA, 4V,

વિશસૂચિ માટે
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

આંશિક માલ: 5437

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 25V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 800mV @ 10mA, 100mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 50mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

આંશિક માલ: 5407

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 3mA, 10mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

આંશિક માલ: 179781

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 100µA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

આંશિક માલ: 5460

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 750mV @ 50mA, 500mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 150mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

આંશિક માલ: 5455

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 750mV @ 50mA, 500mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 150mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

આંશિક માલ: 5391

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 2mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

આંશિક માલ: 5405

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 130mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 300mV,

વિશસૂચિ માટે
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

આંશિક માલ: 5405

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

આંશિક માલ: 5451

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 2mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

આંશિક માલ: 5413

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

આંશિક માલ: 5472

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 100mA, 1A, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 1A, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

આંશિક માલ: 6614

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 300V,

વિશસૂચિ માટે
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

આંશિક માલ: 5448

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 2mA, 1A, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 4000 @ 1A, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

આંશિક માલ: 5467

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 100mA, 1A, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 1A, 1V,

વિશસૂચિ માટે
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N3904PH

આંશિક માલ: 5410

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે