ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

ઘર
ઉત્પાદન ના પ્રકાર
સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો
ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

આંશિક માલ: 261

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 34A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

આંશિક માલ: 446

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 278A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

આંશિક માલ: 2107

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 25A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

આંશિક માલ: 139

એફઇટી પ્રકાર: 2 N Channel (Phase Leg), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V (1.7kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 5mA (Typ),

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

આંશિક માલ: 1065

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 75V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 120A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

આંશિક માલ: 381

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 208A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

આંશિક માલ: 433

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 317A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 10mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

આંશિક માલ: 940

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 139A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

આંશિક માલ: 1470

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 70A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

આંશિક માલ: 1719

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 36A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 3mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

આંશિક માલ: 1728

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 800V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 28A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

આંશિક માલ: 599

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

આંશિક માલ: 489

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 175A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

આંશિક માલ: 743

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Super Junction, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 49A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 3mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

આંશિક માલ: 1759

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 800V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 28A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

આંશિક માલ: 248

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5.4mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

આંશિક માલ: 545

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 51A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

આંશિક માલ: 688

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5.4mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

આંશિક માલ: 820

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 278A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

આંશિક માલ: 1479

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 39A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2.7mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

આંશિક માલ: 1300

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 49A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 3mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

આંશિક માલ: 1022

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 800V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 28A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

આંશિક માલ: 2362

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 800V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

આંશિક માલ: 667

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 46A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ માટે

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

આંશિક માલ: 173

એફઇટી પ્રકાર: 2 N Channel (Phase Leg), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 143A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 2mA (Typ),

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM120A20DG

આંશિક માલ: 538

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 50A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 6mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

આંશિક માલ: 293

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 49A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 3mA,

વિશસૂચિ માટે

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

આંશિક માલ: 251

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 74A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 15mA,

વિશસૂચિ માટે

APTM50DDAM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

આંશિક માલ: 1269

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 51A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ માટે

APTC60DDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

આંશિક માલ: 1114

એફઇટી પ્રકાર: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET લક્ષણ: Super Junction, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 95A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

આંશિક માલ: 1965

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 70A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

આંશિક માલ: 553

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 300A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 6mA,

વિશસૂચિ માટે

APTC60DDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

આંશિક માલ: 1722

એફઇટી પ્રકાર: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET લક્ષણ: Super Junction, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 49A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 3mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM100H18FG

આંશિક માલ: 404

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 43A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

આંશિક માલ: 784

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

આંશિક માલ: 537

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 104A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ માટે

3600

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»