ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

STC5NF20V

આંશિક માલ: 3322

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 600mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2801

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 28V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-GE3

આંશિક માલ: 2866

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 800µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7234DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 47223

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 96693

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI1026X-T1-E3

આંશિક માલ: 2694

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 305mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-GE3

આંશિક માલ: 2873

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 290mA, 410mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7872DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 71532

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2862

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-E3

આંશિક માલ: 2626

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.4A, 3.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4923DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2886

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2756

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-E3

આંશિક માલ: 198401

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

આંશિક માલ: 2793

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 250V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, 2.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

આંશિક માલ: 74678

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A, 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

આંશિક માલ: 119511

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

ECH8619-TL-E

આંશિક માલ: 2845

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDZ2554P

આંશિક માલ: 2769

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDW2501NZ

આંશિક માલ: 2739

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDJ1032C

આંશિક માલ: 2679

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.2A, 2.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTQD6968R2

આંશિક માલ: 2684

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDW2512NZ

આંશિક માલ: 2739

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

MCH6602-TL-E

આંશિક માલ: 191190

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 350mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDS6898A_NF40

આંશિક માલ: 2814

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NDS8852H

આંશિક માલ: 2661

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A, 3.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FW811-TL-E

આંશિક માલ: 3294

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 35V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.6V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

NXP USA Inc.

PMDPB28UN,115

આંશિક માલ: 3299

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NXP USA Inc.

PMDPB95XNE,115

આંશિક માલ: 2864

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 120 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PHN203,518

આંશિક માલ: 155067

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XP0187800L

આંશિક માલ: 2685

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 1µA,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

IXTL2X240N055T

આંશિક માલ: 2780

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 140A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

GWM220-004P3-SMD

આંશિક માલ: 2843

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 180A, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

EPC

EPC2100ENG

આંશિક માલ: 2900

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Ta), 40A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG15N06S3L-45

આંશિક માલ: 2793

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 10µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRFH4257DTRPBF

આંશિક માલ: 2942

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 25A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 35µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7304QTRPBF

આંશિક માલ: 2807

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 700mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે