ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

SIZF906DT-T1-GE3

આંશિક માલ: 98746

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

SI4963BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 89691

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

SI5517DU-T1-GE3

આંશિક માલ: 139934

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

SI4804CDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 85201

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

SI5515DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 153475

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.4A, 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

SQ1902AEL-T1_GE3

આંશિક માલ: 9906

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 780mA (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 415 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

SI4204DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 80891

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 19.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

CSD86311W1723

આંશિક માલ: 155741

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 2A, 8V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

CSD86356Q5D

આંશિક માલ: 10781

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

CMLDM3757 TR

આંશિક માલ: 173409

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 540mA, 430mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

IRFI4019HG-117P

આંશિક માલ: 3354

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.9V @ 50µA,

DMN4034SSD-13

આંશિક માલ: 104438

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSDQ-13

આંશિક માલ: 176283

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.2A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

DMC4040SSDQ-13

આંશિક માલ: 191341

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel Complementary, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.5A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 250µA,

DMP3056LSDQ-13

આંશિક માલ: 10772

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.9A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

DMC1229UFDB-7

આંશિક માલ: 185667

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.6A, 3.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

DMN2215UDM-7

આંશિક માલ: 186022

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

DMG1016UDW-7

આંશિક માલ: 177152

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.07A, 845mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

DMT3020LFDB-13

આંશિક માલ: 176284

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.7A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

DMG8822UTS-13

આંશિક માલ: 155822

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.9A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

FDMB2307NZ

આંશિક માલ: 191134

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate,

FDPC8016S

આંશિક માલ: 69237

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, 35A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5C672NLWFT1G

આંશિક માલ: 6532

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A (Ta), 49A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 30µA,

EMH2604-TL-H

આંશિક માલ: 118126

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDME1023PZT

આંશિક માલ: 114825

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

FDMA1027P

આંશિક માલ: 148465

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.3V @ 250µA,

FC4B22270L1

આંશિક માલ: 167168

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 310µA,

TPD3215M

આંશિક માલ: 455

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: GaNFET (Gallium Nitride), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 70A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 30A, 8V,

SSM6N61NU,LF

આંશિક માલ: 117701

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

NX3008CBKV,115

આંશિક માલ: 142413

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 400mA, 220mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 250µA,

GWM100-01X1-SMDSAM

આંશિક માલ: 2800

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.5V @ 250µA,

GMM3X180-004X2-SMDSAM

આંશિક માલ: 3145

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 180A, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.5V @ 1mA,

MCB40P1200LB

આંશિક માલ: 230

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 58A,

PMDPB760ENX

આંશિક માલ: 2945

QS6M4TR

આંશિક માલ: 185861

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 1mA,

SH8M3TB1

આંશિક માલ: 180841

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,