ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

BSL315PL6327HTSA1

આંશિક માલ: 2825

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 11µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSL215CL6327HTSA1

આંશિક માલ: 2784

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 3.7µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSL215PL6327HTSA1

આંશિક માલ: 2866

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 11µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSL205NL6327HTSA1

આંશિક માલ: 5353

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 11µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSD235N L6327

આંશિક માલ: 3373

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 950mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1.6µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSL214NL6327HTSA1

આંશિક માલ: 2788

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 3.7µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSL316CL6327HTSA1

આંશિક માલ: 2849

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.4A, 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 3.7µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSD235C L6327

આંશિક માલ: 2795

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 950mA, 530mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1.6µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BTS7904BATMA1

આંશિક માલ: 2849

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 40µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSD223P L6327

આંશિક માલ: 2843

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 390mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1.5µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO200N03

આંશિક માલ: 2769

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 13µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO350N03

આંશિક માલ: 2710

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 6µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO150N03

આંશિક માલ: 2753

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO303PNTMA1

આંશિક માલ: 2695

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO615CT

આંશિક માલ: 2762

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.1A, 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 20µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO4804T

આંશિક માલ: 2714

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 30µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO612CV

આંશિક માલ: 2724

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 20µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO615N

આંશિક માલ: 2704

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 20µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO215C

આંશિક માલ: 2649

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 10µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO4804

આંશિક માલ: 2708

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 30µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO207PNTMA1

આંશિક માલ: 2681

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 40µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO203PNTMA1

આંશિક માલ: 2677

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO204PNTMA1

આંશિક માલ: 2710

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 60µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSD223P

આંશિક માલ: 3281

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 390mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1.5µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSD235NH6327XTSA1

આંશિક માલ: 196176

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 950mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1.6µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO211PNTMA1

આંશિક માલ: 2608

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO220N03MDGXUMA1

આંશિક માલ: 21576

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

આંશિક માલ: 32315

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSO150N03MDGXUMA1

આંશિક માલ: 53402

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSG0810NDIATMA1

આંશિક માલ: 66407

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 4.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 19A, 39A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSG0811NDATMA1

આંશિક માલ: 73789

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 4.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 19A, 41A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

BSG0813NDIATMA1

આંશિક માલ: 73114

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 4.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 19A, 33A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

BSS8402DW-7

આંશિક માલ: 2712

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 115mA, 130mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

BSS84DW-7

આંશિક માલ: 2665

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 130mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

BSS138DW-7

આંશિક માલ: 2708

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

BSS84AKV,115

આંશિક માલ: 198874

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 170mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે