ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: X, Y, આઉટપુટ પ્રકાર: PWM, સેન્સિંગ રેંજ: ±1mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 10mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 10mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: Unlimited, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 6.5mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Open Drain, સેન્સિંગ રેંજ: ±30mT ~ ±170mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.6V ~ 8.7V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 6.5mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog, PWM, સેન્સિંગ રેંજ: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 16mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: Unlimited, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 4.5mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±35mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.5V ~ 38V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 3.6mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±9mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.5V ~ 38V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 3.6mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±73mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.5V ~ 38V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 3.6mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±18mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.5V ~ 38V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 3.6mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: 0mT ~ 400mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 5.5mA,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: PWM,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, આઉટપુટ પ્રકાર: I²C, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.2mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.5V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 9mA,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: Wheatstone Bridge, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.6mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.8V ~ 10V,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Wheatstone Bridge, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.6mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 25V,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: I²C, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.6mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.5V ~ 3.3V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 80µA,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: Wheatstone Bridge, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.6mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.8V ~ 12V,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: I²C, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.8mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.16V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 100µA (Typ),
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, Z, આઉટપુટ પ્રકાર: I²C, SPI, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.8mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.16V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 100µA (Typ),
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, આઉટપુટ પ્રકાર: Wheatstone Bridge, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.6mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 1.8V ~ 20V,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Wheatstone Bridge, સેન્સિંગ રેંજ: ±0.6mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2V ~ 20V,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±67mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 12V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 11mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±50mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 6.6V ~ 12.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 30mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, સેન્સિંગ રેંજ: ±10mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 6.6V ~ 12.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 30mA,
ટેકનોલોજી: Hall Effect, ધરી: Single, આઉટપુટ પ્રકાર: SPI, સેન્સિંગ રેંજ: ±20mT, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 3mA,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 12V,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 5V ~ 9V,
ટેકનોલોજી: Magnetoresistive, ધરી: X, Y, આઉટપુટ પ્રકાર: Analog Voltage, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 5V ~ 12V,
