ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 42

RN2709JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 180658

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2604(TE85L,F)

આંશિક માલ: 165277

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902FE,LF(CT

આંશિક માલ: 121303

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 1 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1552

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE,LF(CT

આંશિક માલ: 196360

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965(TE85L,F)

આંશિક માલ: 9983

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1435

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PBLS6001D,115

આંશિક માલ: 153332

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, 700mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, 60V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PUMH9,165

આંશિક માલ: 136378

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PUMB1,135

આંશિક માલ: 184667

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PUMD6/ZLX

આંશિક માલ: 1479

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PUMD10,115

આંશિક માલ: 176387

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PUMH10,125

આંશિક માલ: 139152

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1G

આંશિક માલ: 51685

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 8 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

આંશિક માલ: 3224

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

EMF5XV6T5

આંશિક માલ: 5392

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, 12V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1G

આંશિક માલ: 150122

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSBC124EDXV6T5G

આંશિક માલ: 158612

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSVB143TPDXV6T1G

આંશિક માલ: 118474

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XP0621300L

આંશિક માલ: 131306

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XN04A8800L

આંશિક માલ: 1476

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

UP04113G0L

આંશિક માલ: 1404

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

DMA5640M0R

આંશિક માલ: 148059

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

DMA264010R

આંશિક માલ: 199994

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

UP0421100L

આંશિક માલ: 1444

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XN0411100L

આંશિક માલ: 1396

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XN0431400L

આંશિક માલ: 1480

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XP0421200L

આંશિક માલ: 1468

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

XP0331100L

આંશિક માલ: 1445

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DDC123JH-7

આંશિક માલ: 186448

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DCX123JH-7

આંશિક માલ: 128905

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DCX142JU-7-F

આંશિક માલ: 195388

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 470 Ohms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

UMG4N-7

આંશિક માલ: 197132

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

EMA11T2R

આંશિક માલ: 175669

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMD3NTR

આંશિક માલ: 185071

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMH9NTN

આંશિક માલ: 156300

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 68 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે