મેમરી કદ: 36K (1K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 576K (32K x 18)(64K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 4.7M (131K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 133.3MHz, Timeક્સેસ સમય: 5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 4.7M (131K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 288K (16K x 18)(32K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 144K (8K x 18)(16K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 288K (16K x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 55mA,
મેમરી કદ: 4.5K (256 x 18), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3V ~ 3.6V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 30mA,
મેમરી કદ: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 133.3MHz, Timeક્સેસ સમય: 5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 166MHz, Timeક્સેસ સમય: 4ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 72K (4K x 9 x 2), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 125mA,
મેમરી કદ: 72K (4K x 9 x 2), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 50MHz, Timeક્સેસ સમય: 12ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 125mA,
મેમરી કદ: 4.6K (256 x 9 x 2), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 288K (32K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 120mA,
મેમરી કદ: 18K (1K x 9 x 2), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 125mA,
મેમરી કદ: 576 (64 x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 6.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 18K (512 x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 83MHz, Timeક્સેસ સમય: 8ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 400mA,
મેમરી કદ: 2.25K (256 x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 66.7MHz, Timeક્સેસ સમય: 10ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 35mA,
મેમરી કદ: 144K (16K x 9), કાર્ય: Asynchronous, માહિતી દર: 40MHz, Timeક્સેસ સમય: 15ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 120mA,
મેમરી કદ: 36K (1K x 36), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 133.3MHz, Timeક્સેસ સમય: 5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 3.15V ~ 3.45V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
મેમરી કદ: 288K (16K x 18)(32K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 200MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.6ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 200MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.6ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 144K (8K x 18)(16K x 9), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 200MHz, Timeક્સેસ સમય: 3.6ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 2.375V ~ 2.625V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 60mA,
મેમરી કદ: 512 (64 x 8), કાર્ય: Synchronous, માહિતી દર: 100MHz, Timeક્સેસ સમય: 6.5ns, વોલ્ટેજ - સપ્લાય: 4.5V ~ 5.5V, વર્તમાન - પુરવઠો (મહત્તમ): 40mA,
