ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 39

QSX7TR

આંશિક માલ: 133111

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 25mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 270 @ 200mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

FMW1T148

આંશિક માલ: 193173

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

આંશિક માલ: 115359

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP Complementary Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

આંશિક માલ: 132191

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 11V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 5mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

US6T9TR

આંશિક માલ: 144882

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 25mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 270 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QSX8TR

આંશિક માલ: 124260

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 25mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 270 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

IMX5T108

આંશિક માલ: 149748

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 11V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 5mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

આંશિક માલ: 158820

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 180 @ 50mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

આંશિક માલ: 188842

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 180 @ 50mA, 3V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

IMX17T108

આંશિક માલ: 170021

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 3V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

IMX3T108

આંશિક માલ: 188015

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

આંશિક માલ: 189718

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

IMX1T108

આંશિક માલ: 134514

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

આંશિક માલ: 151664

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 270 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

આંશિક માલ: 137089

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 32V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 3V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

આંશિક માલ: 165705

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

આંશિક માલ: 108768

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QS5W1TR

આંશિક માલ: 144757

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

આંશિક માલ: 102872

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Texas Instruments

ULN2003ADRG4

આંશિક માલ: 142447

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA,

વિશસૂચિ માટે

Texas Instruments

ULN2003AIPWR

આંશિક માલ: 189360

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

આંશિક માલ: 137638

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

આંશિક માલ: 182764

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Matched Pair, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

આંશિક માલ: 158166

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

આંશિક માલ: 145001

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

આંશિક માલ: 116803

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

આંશિક માલ: 174855

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

આંશિક માલ: 191209

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

આંશિક માલ: 145366

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

આંશિક માલ: 180805

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

આંશિક માલ: 136392

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

આંશિક માલ: 154530

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

આંશિક માલ: 175513

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

DMC206010R

આંશિક માલ: 130805

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 210 @ 2mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

આંશિક માલ: 145782

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

આંશિક માલ: 189131

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે