ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 39

MAT01GH

આંશિક માલ: 3534

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Matched Pair, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 25mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 800mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 400nA,

વિશસૂચિ માટે

Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

આંશિક માલ: 17521

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 15V,

વિશસૂચિ માટે

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

આંશિક માલ: 11095

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 60mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 3nA,

વિશસૂચિ માટે

Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

આંશિક માલ: 4479

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 36V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 100mV @ 100µA, 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

આંશિક માલ: 105089

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

આંશિક માલ: 120

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 500µA, 10mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 68 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

આંશિક માલ: 123

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 250µA, 5mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

આંશિક માલ: 148127

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

આંશિક માલ: 117231

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Matched Pair, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

આંશિક માલ: 155883

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

આંશિક માલ: 198170

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

આંશિક માલ: 141674

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

આંશિક માલ: 97

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

આંશિક માલ: 169332

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 280mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 170 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

આંશિક માલ: 175944

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 65V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

આંશિક માલ: 152851

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

આંશિક માલ: 166597

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 230mV @ 30mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

આંશિક માલ: 125941

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 420 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

આંશિક માલ: 148007

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 170mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 180 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

આંશિક માલ: 4480

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 500nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

આંશિક માલ: 165488

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

આંશિક માલ: 196459

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 65V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 650mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 220 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

આંશિક માલ: 170917

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

આંશિક માલ: 147868

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FMB5551

આંશિક માલ: 161037

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

આંશિક માલ: 4629

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 280mV @ 50mA, 4.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 25nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 3A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

ZDT705TC

આંશિક માલ: 4410

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP Darlington (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 2mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 3000 @ 1A, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

આંશિક માલ: 9974

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 390mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 250 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

આંશિક માલ: 4491

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

આંશિક માલ: 4488

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 8 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Sanken

SMA6010

આંશિક માલ: 14708

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 6mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

આંશિક માલ: 4365

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

આંશિક માલ: 167758

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ માટે

Central Semiconductor Corp

MPQ6700

આંશિક માલ: 15034

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN, 2 PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 1V,

વિશસૂચિ માટે

Renesas Electronics America Inc.

CA3083

આંશિક માલ: 4402

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 5 NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 700mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 50mA, 3V,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

ULN2804A

આંશિક માલ: 67807

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 8 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે