ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - સિંગલ, પ્રી-બાયસ્

DTA015TUBTL

આંશિક માલ: 174491

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

DTA124XCAT116

આંશિક માલ: 117277

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 68 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DTA015TEBTL

આંશિક માલ: 181209

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

DTA143EKAT146

આંશિક માલ: 198264

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DTA015EMT2L

આંશિક માલ: 111812

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

DTC143EMT2L

આંશિક માલ: 198876

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DTA123EEFRATL

આંશિક માલ: 9942

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

RN2113CT(TPL3)

આંશિક માલ: 1959

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

RN1108ACT(TPL3)

આંશિક માલ: 1901

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

RN2112,LF(CT

આંશિક માલ: 9941

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

RN2103MFV,L3F

આંશિક માલ: 1966

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

RN1103CT(TPL3)

આંશિક માલ: 1955

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

RN1413(TE85L,F)

આંશિક માલ: 169265

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DDTC124TE-7-F

આંશિક માલ: 116453

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DDTC114WCA-7-F

આંશિક માલ: 197614

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 24 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DDTC124XUA-7-F

આંશિક માલ: 171036

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 68 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DDTA114TUA-7-F

આંશિક માલ: 187223

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

DDTD143EC-7-F

આંશિક માલ: 145069

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 47 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

SDTC144EET1G

આંશિક માલ: 137286

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

SMUN2113T1G

આંશિક માલ: 112312

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

SMUN5233T1G

આંશિક માલ: 184821

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

MUN5234T1

આંશિક માલ: 1930

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

SMUN5213T1G

આંશિક માલ: 168586

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

NSVDTC143ZET1G

આંશિક માલ: 155329

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

UNR51A1G0L

આંશિક માલ: 1963

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 80mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

UNR511400L

આંશિક માલ: 132575

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

DRA9114T0L

આંશિક માલ: 121364

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

UNR911FJ0L

આંશિક માલ: 1990

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

UNR9112J0L

આંશિક માલ: 181729

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

UNR521LG0L

આંશિક માલ: 197818

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

PBRN113ZK,115

આંશિક માલ: 1979

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 500 @ 300mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

PBRN123YS,126

આંશિક માલ: 1930

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 500 @ 300mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

PDTA124ES,126

આંશિક માલ: 1972

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે