Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - સિંગલ, પ્રી-બાયસ્

PDTA144TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144TMB,315

આંશિક માલ: 141191

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTA124EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124EM,315

આંશિક માલ: 159243

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTA144EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA144EQAZ

આંશિક માલ: 189508

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTA143TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143TM,315

આંશિક માલ: 163442

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTC123YMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123YMB,315

આંશિક માલ: 197399

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTC123TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123TMB,315

આંશિક માલ: 169349

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTC144EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC144EQAZ

આંશિક માલ: 174674

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTC143EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143EMB,315

આંશિક માલ: 135464

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTA144WMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144WMB,315

આંશિક માલ: 122308

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
PDTC124TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC124TM,315

આંશિક માલ: 157560

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTD543ZETL
Rohm Semiconductor

DTD543ZETL

આંશિક માલ: 153295

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 140 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
DTA014YMT2L
Rohm Semiconductor

DTA014YMT2L

આંશિક માલ: 197880

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 70mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
DTC114TCAT116
Rohm Semiconductor

DTC114TCAT116

આંશિક માલ: 138251

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTB113ZCT116
Rohm Semiconductor

DTB113ZCT116

આંશિક માલ: 178135

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTB114ECT116
Rohm Semiconductor

DTB114ECT116

આંશિક માલ: 143924

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTB123ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB123ECHZGT116

આંશિક માલ: 133

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased + Diode, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 39 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTA123YCAT116
Rohm Semiconductor

DTA123YCAT116

આંશિક માલ: 111985

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 22 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTA043TUBTL
Rohm Semiconductor

DTA043TUBTL

આંશિક માલ: 181713

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
DTC114EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC114EMT2L

આંશિક માલ: 161050

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTC123JCAT116
Rohm Semiconductor

DTC123JCAT116

આંશિક માલ: 148640

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTA114TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA114TMT2L

આંશિક માલ: 187097

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTD143ECT116
Rohm Semiconductor

DTD143ECT116

આંશિક માલ: 104657

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 47 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTC114ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC114ECAT116

આંશિક માલ: 182543

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTA015TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA015TMT2L

આંશિક માલ: 189655

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
DTB123TCT116
Rohm Semiconductor

DTB123TCT116

આંશિક માલ: 176439

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTD543XETL
Rohm Semiconductor

DTD543XETL

આંશિક માલ: 190396

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 140 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
DTC014TMT2L
Rohm Semiconductor

DTC014TMT2L

આંશિક માલ: 146859

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
DTA023EUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023EUBTL

આંશિક માલ: 109376

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 20mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
DTA124EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA124EMT2L

આંશિક માલ: 186106

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTC123EKAT146
Rohm Semiconductor

DTC123EKAT146

આંશિક માલ: 191048

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTB523YETL
Rohm Semiconductor

DTB523YETL

આંશિક માલ: 118932

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 140 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
DTC123YCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC123YCAHZGT116

આંશિક માલ: 134

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased + Diode, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 33 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTC124XCAT116
Rohm Semiconductor

DTC124XCAT116

આંશિક માલ: 191467

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 68 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
FJX4012RTF
ON Semiconductor

FJX4012RTF

આંશિક માલ: 2356

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
DTC115TM3T5G
ON Semiconductor

DTC115TM3T5G

આંશિક માલ: 123820

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે
FJX3005RTF
ON Semiconductor

FJX3005RTF

આંશિક માલ: 2513

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે