ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.5GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 1µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.14GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 894MHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 15.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.62GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: pHEMT FET, આવર્તન: 3.55GHz, મેળવો: 11dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 22.7dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.12GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.16GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz, મેળવો: 14.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.66GHz, મેળવો: 14.6dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.88GHz, મેળવો: 15.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 945MHz, મેળવો: 18.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: pHEMT FET, આવર્તન: 3.5GHz, મેળવો: 11.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HFET, આવર્તન: 20GHz, મેળવો: 10dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 70mA, અવાજ આકૃતિ: 0.75dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HFET, આવર્તન: 20GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 70mA, અવાજ આકૃતિ: 0.7dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: MESFET Dual Gate, આવર્તન: 900MHz, મેળવો: 20dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 5V, વર્તમાન રેટિંગ: 40mA, અવાજ આકૃતિ: 1.1dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: HFET, આવર્તન: 2GHz, મેળવો: 14dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 120mA, અવાજ આકૃતિ: 0.45dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 915MHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 3.2V, વર્તમાન રેટિંગ: 1.5A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 400MHz, અવાજ આકૃતિ: 4dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.69GHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.14GHz, મેળવો: 16.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 20dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 7.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 4A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 17dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 4A,
