ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.11GHz ~ 2.17GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 18.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 17.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 19.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 17.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.39GHz, મેળવો: 15.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 20.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 21.4dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 220MHz, મેળવો: 23.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 50V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.96GHz, મેળવો: 13dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 26V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.14GHz, મેળવો: 13dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), આવર્તન: 1.98GHz ~ 2.01GHz, મેળવો: 14.8dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.4GHz, મેળવો: 15.4dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 880MHz, મેળવો: 21dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 860MHz, મેળવો: 18.2dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 32V, વર્તમાન રેટિંગ: 17A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.93GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.88GHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.12GHz, મેળવો: 15.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.7GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 100MHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 15V, વર્તમાન રેટિંગ: 15mA, અવાજ આકૃતિ: 2dB,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, મેળવો: 12dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 10V, વર્તમાન રેટિંગ: 60mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, વર્તમાન રેટિંગ: 40mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: N-Channel JFET, આવર્તન: 100MHz, મેળવો: 16dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 10V, વર્તમાન રેટિંગ: 60mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 760MHz, મેળવો: 19.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 2.17GHz, મેળવો: 17.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.88GHz, મેળવો: 16.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V, વર્તમાન રેટિંગ: 1µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 1.99GHz, મેળવો: 15.9dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 894MHz, મેળવો: 18dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 30V, વર્તમાન રેટિંગ: 10µA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS (Dual), Common Source, આવર્તન: 2.61GHz, મેળવો: 13.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 28V,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: Silicon Carbide MESFET, આવર્તન: 1.1GHz, મેળવો: 13dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 48V, વર્તમાન રેટિંગ: 9A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 500MHz, મેળવો: 19dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 12.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 5A,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: LDMOS, આવર્તન: 900MHz, મેળવો: 22.5dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 7.5V, વર્તમાન રેટિંગ: 600mA,
ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: E-pHEMT, આવર્તન: 12GHz, મેળવો: 11dB, વોલ્ટેજ - પરીક્ષણ: 2V, વર્તમાન રેટિંગ: 50mA, અવાજ આકૃતિ: 1dB,
